[发明专利]焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件

摘要

结构包含位于半导体衬底上方的金属焊盘、具有位于该金属焊盘上方的部分的钝化层和位于该钝化层上方的第一聚酰亚胺层，其中该第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量。钝化后互连件(PPI)包括位于第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至钝化层和第一聚酰亚胺层内的第二部分。将PPI电连接至金属焊盘。第二聚酰亚胺层位于PPI上方。该第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量。厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，其中厚度比是第一厚度与第二厚度的比值，以及杨氏模量比是第二杨氏模量与第一杨氏模量的比值。本发明还提供一种焊球上应力减小的晶圆级芯片规模封装件。

主权项

一种结构，包括：半导体衬底；金属焊盘，位于所述半导体衬底的上方；钝化层，位于所述半导体衬底的上方，并包含位于所述金属焊盘上方的部分；第一聚酰亚胺层，位于所述钝化层上方，其中所述第一聚酰亚胺层具有第一厚度和第一杨氏模量；钝化后互连件(PPI)，包括位于所述第一聚酰亚胺层上方的第一部分和延伸至所述第一聚酰亚胺层内并且被电连接至所述金属焊盘的第二部分；和第二聚酰亚胺层，位于所述PPI上方，其中所述第二聚酰亚胺层具有第二厚度和第二杨氏模量，并且其中厚度比和杨氏模量比中的至少一种大于1.0，所述厚度比等于所述第一厚度与所述第二厚度的比值，而所述杨氏模量比等于所述第二杨氏模量与所述第一杨氏模量的比值。