[发明专利]一种黑硅材料表面金属电极的制备方法

摘要

一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。该方法包括：步骤1：化学镀前预处理；步骤2：用化学镀工艺在黑硅材料表面沉积一层过渡层；步骤3：干燥；步骤4：用蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属电极层；步骤5：退火；步骤6：光刻形成电极形状。本发明利用化学镀的自催化镀膜原理，在金属电极与黑硅表面增加了一层化学镀层作为过渡层，能够提高金属电极与黑硅材料表面的结合力，降低接触电阻；本发明用于基于黑硅材料的硅光电探测器或太阳能电池，能有效提高器件效率及响应速度且制备工艺简单、成本较低。

主权项

一种黑硅材料表面金属电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1：黑硅材料表面化学镀前处理；首先采用含SnCl2的敏化液对黑硅材料表面进行敏化处理，使Sn+吸附到黑硅材料表面；然后采用含有PdCl2的活化液对敏化处理后的黑硅材料表面进行活化处理，使Pd+被Sn+还原后在黑硅材料表面形成活化中心；步骤2：采用化学镀工艺，在经步骤1化学镀前处理的黑硅材料表面沉积一层过渡层；所述过渡层材料为Ni‑P合金、Ni‑B合金、Cu金属、Ni‑Cu‑P三元合金或Ni‑Cu‑B三元合金中的一种，厚度为0.5～10微米；步骤3：对黑硅材料表面的过渡层进行干燥处理；步骤4：采用薄膜蒸发或溅射工艺在过渡层上沉积金属层；步骤5：对步骤4沉积的金属层进行退火处理；步骤6：采用光刻工艺将金属层和过度层刻蚀电极形状，完成电极制备。