[发明专利]自由电荷像素探测器有效
申请号: | 201210039357.1 | 申请日: | 2012-02-21 |
公开(公告)号: | CN102931202A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 孙向明;许怒;黄光明 | 申请(专利权)人: | 华中师范大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 张安国;伍见 |
地址: | 430078 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种自由电荷像素探测器,由硅层、信号处理和读出电路、过孔、中间金属层、绝缘层和顶层金属组成;其顶层金属为集成电路芯片最外层金属层,是一个金属阵列,这层金属裸露在外面,阵列中每一个小单元下面都有过孔与硅层相连接,信号处理和读出电路就在硅层上,信号处理和读出电路所用到的中间金属层与顶层金属之间有绝缘层隔开。本探测器中与集成电路芯片外部直接接触的金属层部分由小金属电极阵列组成,其阵列中最邻近的小金属电极中心之间距离<100微米。在集成电路芯片的上面放一个阴极板,在该阴极板和顶层金属之间加电场,自由电荷被收集到顶层金属上,形成信号。本探测器与已有的金属阳极相比,空间分辨率和灵敏度更高。 | ||
搜索关键词: | 自由 电荷 像素 探测器 | ||
【主权项】:
一种自由电荷像素探测器,其特征在于:该探测器由硅层(1)、信号处理和读出电路(2),过孔(3),中间金属层(4),绝缘层(5),顶层金属(6)组成;顶层金属(6)为集成电路芯片的最外层金属层,是一个金属阵列,这层金属裸露在外面,阵列中每一个小单元下面都有过孔(3)与硅层(1)相连接,信号处理和读出电路(2)就做在硅层(1)上,信号处理和读出电路(2)所用到的中间金属层(4)与顶层金属(6)之间有绝缘层(5)隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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