[发明专利]一种相变存储器的高速数据写入结构及写入方法

摘要

本发明公开了一种相变存储器的高速数据写入结构和写入方法，包括比较电路、包含N个数据位和一个标志位的数据存储单元、N+1个写入电路以及控制电路；所述比较电路对从阵列读取的数据和需要被写入的数据进行比较，将比较结果发送给控制电路；所述N+1个写入电路中第一写入电路用于对所述数据存储单元的标志位执行设置/重置(SET/RESET)操作，N个写入电路分别用于对所述数据存储单元的N个数据位执行SET/RESET操作；所述控制电路根据比较结果，控制N+1个写入电路对标志位和N个数据位执行不同的SET/RESET操作。应用本发明能够加快数据写入速度、降低功耗。

主权项

一种相变存储器的高速数据写入结构，其特征在于：包括比较电路、包含N个数据位和一个标志位的数据存储单元、N+1个写入电路以及控制电路；所述比较电路对从阵列读取的数据和需要被写入的数据进行比较，将比较结果发送给控制电路；所述N+1个写入电路中第一写入电路用于对所述数据存储单元的标志位执行设置/重置(SET/RESET)操作，N个写入电路分别用于对所述数据存储单元的N个数据位执行SET/RESET操作；所述控制电路接收从阵列读取的数据和需要被写入的数据，以及比较电路发送的比较结果；根据比较结果，在所述数据存储单元中所有数据位执行相同的SET操作或RESET操作时，仅控制所述第一写入电路对所述标志位执行SET操作或RESET操作；在要执行RESET操作的数据位数量大于预定值时，将要执行RESET操作的数据位改为要执行SET操作，并控制所述第一写入电路改变所述标志位，同时控制要执行SET操作的数据位对应的写入电路，执行SET操作；在要执行RESET操作的数据位数量不大于预定值时，同时控制要执行SET操作和/或RESET操作的数据位对应的写入电路，执行SET操作和/或RESET操作。