[发明专利]光电转换组件、装置及阵列装置有效
申请号: | 201210034114.9 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102856400A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 刘鸿达 | 申请(专利权)人: | 刘鸿达 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0256 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电转换组件包含一透明基板、一第一电极、至少一光电转换层以及一第二电极。所述透明基板为至少有部分区域是透明的。第一电极位于透明基板上。至少一光电转换层位于第一电极上,其中各光电转换层可至少使部分可见光的波段的穿透率大于20%。第二电极位于所述至少一光电转换层上。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换 组件 装置 阵列 | ||
【主权项】:
一种光电转换组件,其特征在于,包括:一透明基板,所述透明基板为至少有部分区域是透明的,及/或所述透明基板为至少有部分区域是光反射的结构,以使光线可以反射回来;一第一电极,位于所述透明基板上;至少一光电转换层,位于所述第一电极上,其中各所述光电转换层可至少使部分可见光波段的穿透率大于20%;以及一第二电极,位于所述至少一光电转换层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的