[发明专利]光电转换组件、装置及阵列装置有效
申请号: | 201210034114.9 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102856400A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 刘鸿达 | 申请(专利权)人: | 刘鸿达 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0256 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 组件 装置 阵列 | ||
技术领域
本发明涉及一种光电转换组件以及采用此光电转换组件的装置及阵列装置,具体涉及一种可使部分波段可见光穿透的光电转换组件以及采用此光电转换组件的装置及阵列(array)装置。
背景技术
一般来说,传统的太阳能电池为非穿透式的。非穿透式的太阳能电池已广泛应用于各式建筑材料,例如屋瓦结构、墙壁贴片,车顶发电板等等。而在某些特殊应用上,例如玻璃帷幕、透明屋顶等,就需要搭配具有透光性的穿透式太阳能电池,以具有较佳的美观性。
请参阅图1,图1为公知穿透式太阳能电池模块10的示意图。传统的所谓的穿透式太阳能电池模块10包含有一透光基板12,一透光导电层14,一光电转换层16,以及一不透光电极层18。传统的穿透式太阳能电池模块10直接移除部分的不透光电极层18以及不透光光电转换层16,裸露部分透光基板12与透光导电层14,以达到透射光线的效果。然而,由于光电转换层16不透光,因而必须移除部分光电转换层16以达到太阳能电池组10透光的目的,但如此将减少太阳能电池模块10对于光能的吸收量与电能的产出量,导致大幅降低太阳能电池模块10的光电转换效率。因为有不透光的栅状、或梳状遮蔽物,其透视效果也不好,不能算是真正“穿透式”的组件。
因此,如何设计出一具有优选光电转换效率的真正穿透式太阳能电池模块即为现今太阳能产业所需努力的重要课题。
发明内容
本发明提出一种光电转换组件以及采用此光电转换组件的装置及阵列装置,用以解决上述问题。
本发明提供一种光电转换组件包含一透明基板、一第一电极、至少一光电转换层以及一第二电极。所述透明基板为至少有部分区域是透明的,第一电极位于透明基板上。至少一光电转换层位于第一电极上,其中各光电转换层经吸收太阳光谱后,其穿透频谱中的可见光波段部分,至少有可见光的全部或部分波段的穿透率大于20%。第二电极位于至少一光电转换层上。在多个光电转换层中,也可以每一光电转换层都有其对应电极施加电场,所以可能会有数个对应的“第一电极,第二电极”
本发明提供一种装置包含一基体以及至少一光电转换组件。基体具有至少一基体透明基板。至少一光电转换组件位于至少一基体透明基板上,其中各光电转换层经吸收太阳光谱后,其穿透频谱中的可见光波段部分,至少有可见光的全部或部分波段的穿透率大于20%。
本发明提供一种阵列装置包含一主基底、多个基体以及多个光电转换组件。多个基体位于主基底上。多个光电转换组件位于主基底上,其中光电转换组件包含至少一光电转换层,可至少使部分可见光波段的穿透率大于20%。
基于上述,本发明提出一种光电转换组件以及采用此光电转换组件的装置及阵列装置,其中此光电转换组件可至少使部分波段的可见光穿透。详细而言,此光电转换组件具有至少一光电转换层,此光电转换层可容许至少一波段的可见光穿透,具体而言可至少使部分可见光波段的穿透率大于20%,如此相较于公知可具有更高的光电转换效率,并且可省去再图案化非透明的光电转换层的制作工艺成本。
如先前技术所述,公知的所谓透光的太阳能电池是以移除部分不透光的光电转换层来达到透光的目的,但如此作法会大幅降低光电转换效率,且增加制作工艺成本,因为有不透光的栅状、或梳状遮蔽物,其透视效果也不好,不能算是真正”穿透式”的组件。本发明可制作真正“穿透式”的光电转换组件具有可透光的光电转换层,可改善公知的问题!!
附图说明
图1为公知穿透式太阳能电池模块的示意图。
图2为依据本发明一优选实施例的光电转换组件的剖面示意图。
图3为依据本发明一优选实施例的光电转换组件的剖面示意图。
图4为依据本发明一优选实施例的应用光电转换组件的装置的剖面示意图。
图5为依据本发明一优选实施例的应用光电转换组件的装置的剖面示意图。
图6为依据本发明一优选实施例的应用光电转换组件的装置的剖面示意图。
图7为图6的应用光电转换组件的装置的配置图。
图8为图6的应用光电转换组件的装置的上视图。
图9为依据本发明一优选实施例的应用光电转换组件的装置的剖面示意图。
图10为依据本发明一优选实施例的应用光电转换组件的阵列装置的剖面示意图。
图11为图3的堆栈的光电转换组件的组合示意图。
图12为依据图6的应用于显示器装置的剖面示意图。
图13为依据图6的应用于液晶显示装置的剖面示意图。
其中,附图标记说明如下:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的