[发明专利]光电转换组件、装置及阵列装置有效
申请号: | 201210034114.9 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102856400A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 刘鸿达 | 申请(专利权)人: | 刘鸿达 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0256 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 组件 装置 阵列 | ||
1.一种光电转换组件,其特征在于,包括:
一透明基板,所述透明基板为至少有部分区域是透明的,及/或所述透明基板为至少有部分区域是光反射的结构,以使光线可以反射回来;
一第一电极,位于所述透明基板上;
至少一光电转换层,位于所述第一电极上,其中各所述光电转换层可至少使部分可见光波段的穿透率大于20%;以及
一第二电极,位于所述至少一光电转换层上。
2.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,所述透明基板包含一玻璃基底、一柔性基板、一塑料基板、一反射板、一压克力基板、一聚碳酸酯基板、一聚氯乙烯基板、一聚乙烯基板或一聚丙烯基板。
3.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,所述至少一光电转换层为多个堆叠的光电转换材料层。
4.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,各所述光电转换层包含一P-N接面层、或一电子电洞接面层。
5.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,各所述光电转换层包含硅层、多化合物层或纳米级有机层。
6.如权利要求5所述的光电转换组件,其特征在于,所述硅层的材质包含晶硅或非晶硅,多化合物层的材质包含单晶或多晶,纳米级有机的材质包含二氧化钛。
7.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极包含一透明电极、一梳状导电电极、或一反射板电极。
8.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极可为可见光穿透式的、紫外光穿透式的、红外光穿透式的导电材质或设计。
9.如权利要求7或8所述的光电转换组件,其特征在于,所述第一电极、第二电极包含由透明导电氧化物、石墨烯、铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝、金、铜或上述金属合金所组成。
10.如权利要求1所述的光电转换组件,其特征在于,所述光电转换组件更包含一补偿单元或一辅助单元,用以补偿色偏或色差。
11.如权利要求10所述的光电转换组件,其特征在于,所述补偿单元或所述辅助单元包含彩色滤光片、有机发光二极管、背光源、有色玻璃、液晶模块或光电转换曲线的补正。
12.如权利要求1、或第3至8項所述的光电转换组件,其特征在于,所述光电转换层包含一可至少吸收部分波段的紫外光、部分波段的红外光的光电转换层。
13.如权利要求1、或第3至8項所述的光电转换组件,其特征在于,所述光电转换层包含一可至少吸收部分波段的红光、部分波段的绿光、部分波段的蓝光的光电转换层。
14.如权利要求1、或第3至8項所述的光电转换组件,其特征在于,所述光电转换层包含一可至少吸收部分波段的黄光、部分波段的青光、部分波段的紫红光的光电转换层。
15.一种装置,其特征在于,包括:
一基体,具有至少一基体基板;以及
至少一具有如榷利要求1至10所述的光电转换组件,位于所述至少一基体基板上。
16.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述基体基板更包含一基体透明基板、一基体反射基板或一基体部分反射部分穿透基板。
17.如权利要求16所述的装置,其特征在于,各所述光电转换组件更包含一透明基板,所述基体基板与所述透明基板贴合、重叠、镶嵌、共构或并排。
18.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述装置更包含一储电装置,用以储存所述光电转换组件所产生的能源。
19.如权利要求18所述的装置,其特征在于,所述装置更包含一切换开关及一电池,当所述电池的剩余能源至一预定值下,则进行切换以使用所述储电装置的电能。
20.如权利要求18、19所述的装置,其特征在于,所述装置更包含一充电控制电路,当所述电池的剩余能源至一预定值下,则进行充电。
21.如权利要求15所述的装置,其特征在于,所述基体包含一玻璃、一保护层、一造型层、一触控感应器、一显示器、一光源、一交通号志、一广告告示牌、一反射组件或一具有图像或/且文字的装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的