[发明专利]钝化后互连结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201210028995.3 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103094246A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴逸文;林正怡;何明哲;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/488;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：导电层，该导电层通过浸镀锡工艺形成于钝化后互连(PPI)结构的表面上；聚合物层，该聚合物层形成于导电层上并且经图案化具有暴露出一部分导电层的开口；以及焊料凸块，该焊料凸块形成于聚合物层的开口中以电连接至PPI结构。本发明提供了钝化后互连结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件，包括：半导体衬底；钝化层，位于所述半导体衬底的上面；互连层，位于所述钝化层的上面并且包括线区域和接合焊盘区域；导电层，形成于所述互连层的表面上，其中，所述导电层包含锡(Sn)；保护层，形成于所述导电层上并且包括开口，所述开口暴露出位于所述接合焊盘区域上的一部分所述导电层；以及焊料凸块，形成于所述保护层的所述开口中并且被配置成与所述导电层电连接。
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