[发明专利]形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210022861.0 | 申请日： | 2012-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102629662A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 马修·J·布雷杜斯克;陈介方;陈士弘;艾瑞克·A·约瑟;林仲汉;麦可·F·罗弗洛;龙翔澜;亚历桑德罗·G·史克鲁特;杨敏 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种形成PCRAM自对准位线方法及自对准深刻蚀方法。其中，形成与相变材料对齐的位线的方法，包括于下电极的部分形成牺牲材料的基座以及形成相邻于牺牲材料的至少一介电材料，其中至少一介电材料具有一上表面，其实质地与牺牲材料基座的上表面共面。对至少一介电材料以及下电极具选择性地移除牺牲材料的基座以对下电极的露出表面提供开口。于下电极的露出表面上形成相变材料，并且将开口以导电填充材料填充。亦提供自对准回蚀程序。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 pcram 对准 方法 深刻 | ||
【主权项】：
一种形成一装置的方法，包含：于一下电极的一部分上形成一牺牲材料的一基座；形成相邻于该牺牲材料的至少一介电材料，该至少一介电材料具有与该牺牲材料的该基座的上表面共面的一上表面；对该至少一介电材料以及该下电极具选择性地移除该牺牲材料的该基座以对该下电极的一露出表面提供一开口；于该下电极的该露出表面上沉积一相变材料；以及以一导电填充材料填充该开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司，未经旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210022861.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
