[发明专利]一种提高硫化铋多晶热电性能的方法有效

专利信息
申请号: 201210020143.X 申请日: 2012-01-29
公开(公告)号: CN102443848A 公开(公告)日: 2012-05-09
发明(设计)人: 张波萍;葛振华;张丽娟;韩成功 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: C30B28/02 分类号: C30B28/02;C30B29/46
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种提高硫化铋多晶热电性能的方法,属于能源材料技术领域。其特征是:以机械合金化法制备的硫化铋纳米粉体与水热法合成的(001)取向的单晶硫化铋纳米棒粉体混合,在无水乙醇中超声分散10~200分钟,烘干后在玛瑙研钵中手工研磨10~100分钟。将研磨好的粉体置于石墨模具中,采用放电等离子烧结工艺在300~500℃烧结,保温0~30分钟制备出硫化铋多晶块体。放电等离子烧结加热速度快,抑制了晶粒长大和融合,使单晶纳米棒结构被保留在多晶块体中,形成载流子迁移的快速通道,大幅提高硫化铋多晶的电传输性能和热电性能,该方法具有所需设备简单,易操作,成本低,效果显著等优点。
搜索关键词: 一种 提高 硫化 多晶 热电 性能 方法
【主权项】:
一种提高硫化铋多晶热电性能的方法,其特征是:以机械合金化法制备的硫化铋纳米粉体与水热法合成的具有(001)取向的单晶硫化铋纳米棒粉体以质量比(1:0.01~1)混合,在无水乙醇中超声分散10~200 分钟,烘干后在玛瑙研钵中手工研磨10~100分钟;将研磨好的粉体置于石墨模具中,采用放电等离子烧结工艺在20~60 Mpa 压力下300~500℃烧结,保温0~30分钟制备出硫化铋多晶块体。
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