[发明专利]高频半导体开关有效
| 申请号： | 201210018307.5 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219977A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杉浦毅 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H04B1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明旨在提供具有设计时已经考虑了发送端子及接收端子所需的特性的FET的高频半导体开关。本发明的高频半导体开关(10)具有多个场效应晶体管(50)。多个场效应晶体管(50)分别包括：在基板(100)上隔着一定的间隔形成的源极区域(130)及漏极区域(140)；形成在基板(100)上且位于该间隔上的栅极(160)；形成在基板(100)上并连接在源极区域(130)的源极接点(172)；形成于基板(100)上并连接在漏极区域(140)的漏极接点(182)。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 半导体 开关 | ||
【主权项】：
一种高频半导体开关，其特征在于，具有多个场效应晶体管，并且通过切换向各场效应晶体管的栅极施加的电压来完成所希望的无线通信，多个上述场效应晶体管，包括：分别在基板上隔着一定的间隔形成的源极区域和漏极区域，形成于上述基板上且位于该间隔上的栅极，形成在上述基板上并连接在上述源极区域的源极接点，形成在上述基板上并连接在上述漏极区域的漏极接点，上述多个场效应晶体管中，连接在接收端子侧的接收端子侧晶体管的源极接点及漏极接点之间的距离(Lr)比连接在发送端子侧的发送端子侧晶体管的源极接点及漏极接点之间的距离(Lt)长。
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