[发明专利]多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池

摘要

本发明公开了一种多晶硅锭的制造方法，包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层；将固态的硅原料装载到籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，形成液体层，至少保持与容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶形成结晶层，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动；固液界面向远离所述容器底部的方向移动相应距离后，进入回熔结晶过程，至少执行一次所述回熔结晶过程后，得到多晶硅锭。采用本发明的方法生产出的多晶硅锭杂质含量低，生产出的太阳能电池成本低、衰减系数低，光电转换效率高。

主权项

一种多晶硅锭的制造方法，其特征在于，包括：在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层；将固态的硅原料装载到所述籽晶层的上方；对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，至少保持与所述容器底部接触的部分籽晶层为固态；控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶形成结晶层，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动；所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动相应距离后，进入回熔结晶过程，至少执行一次所述回熔结晶过程后，得到多晶硅锭；其中，所述回熔结晶过程包括，控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对所述结晶层进行回熔，使所述固液界面向靠近所述容器底部的方向移动，之后，控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶，以使所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动，所述固液界面向靠近所述容器底部的方向移动的距离小于所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动的距离。