[发明专利]多晶硅锭及其制造方法、太阳能电池

权利要求书

1.一种多晶硅锭的制造方法，其特征在于，包括：

在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶，形成籽晶层；

将固态的硅原料装载到所述籽晶层的上方；

对所述容器进行加热，熔化所述硅原料和部分所述籽晶层，以形成液体层，至少保持与所述容器底部接触的部分籽晶层为固态；

控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对所述液体层进行结晶形成结晶层，以使固液界面向远离所述容器底部的方向移动；

所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动相应距离后，进入回熔结晶过程，至少执行一次所述回熔结晶过程后，得到多晶硅锭；

其中，所述回熔结晶过程包括，控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对所述结晶层进行回熔，使所述固液界面向靠近所述容器底部的方向移动，之后，控制所述多晶硅锭生长炉内的热场，对液体层进行结晶，以使所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动，所述固液界面向靠近所述容器底部的方向移动的距离小于所述固液界面向远离所述容器底部的方向移动的距离。

2.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，所述多晶硅锭含有连续的大尺寸的单晶硅区域，所述单晶硅区域的晶体学取向与位于其下方的所述籽晶的晶体学取向相同。

3.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，所述籽晶为晶体学取向为(100)、(110)或(111)的单晶硅。

4.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，将固态的硅原料装载到所述籽晶层的上方的过程具体为：

将小颗粒的硅原料装载到所述籽晶层的上方，以填充所述籽晶间的缝隙以及所述籽晶层与所述容器侧壁间的缝隙；

将大体积的硅原料装载到所述小颗粒硅原料的上方。

5.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，所述籽晶层的厚度为10mm-100mm。

6.根据权利要求5所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，第一次开始结晶时，固态籽晶层的厚度为1mm-50mm。

7.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，所述籽晶层的面积占据所述容器底部面积的50％-99％。

8.根据权利要求1所述的多晶硅锭的制造方法，其特征在于，所述容器为石英坩埚、碳化硅坩埚或氮化硅坩埚。

9.一种采用权利要求1-8所述的方法制作出的多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭包含晶体学取向一致的连续大尺寸的单晶硅区域。

10.一种太阳能电池，采用权利要求10所述的多晶硅锭，其特征在于，包括：

晶片，所述晶片上具有晶体学取向一致的连续大尺寸的单晶硅区域；

所述晶片中的P-N结；

所述晶片上的导电触点。