[发明专利]基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法有效
| 申请号： | 201210017883.8 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN103219274A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 张苗;陈达;刘林杰;狄增峰;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 量子 结构 制备 sgoi ssoi 方法 | ||
【主权项】：
一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法，其特征在于，所述方法至少包括步骤：1)在衬底表面形成由Si1‑xGex/Ge或Si/Si1‑xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理，以使表层Si1‑xGex材料发生弛豫现象；2)在已发生弛豫现象的结构表面至少一次重复以下过程：低温生长Si1‑xGex和/或Si以修复表面；及基于已修复表面的结构来再次形成由Si1‑xGex/Ge或Si/Si1‑xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；3)在步骤2)所形成的结构表面低温生长Si1‑xGex/Si的材料层；4)采用智能剥离技术将步骤3)所形成的结构中的至少部分层转移到一含氧衬底的含氧层表面，以形成SGOI或sSOI结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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