[发明专利]锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 201210010799.3 | 申请日： | 2012-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102557633A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 马卫兵;李建平;孙清池;刘志华;吴涛 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用(Sb3/4Li1/4)对PZT进行B位复合取代改性，制备高性能压电陶瓷的方法，步骤为：按Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1-xO3化学计量比配料，其中x＝1～3mol％；经过800℃～900℃合成、成型、排塑、于1200℃烧结，再经烧银，并于120℃硅油浴中，加以3kV/mm的直流电压极化15min。本发明通过调整(Sb3/4Li1/4)的取代量，显著提高了压电性能。当复合取代量x＝2mol％，合成温度为850℃时，获得了最佳综合压电性能，压电陶瓷的介电常数εT33/ε0，压电系数d33，机电耦合系数kp值和损耗值分别达到了，2052，500pC/N，81％，1.5％。本发明可应用于制备超声波传感器，压电陶瓷驱动器等电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 取代 锆钛酸铅 改性 压电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能的锑锂复合取代锆钛酸铅B位改性的压电陶瓷，其原料组分及其摩尔百分比含量为Pb0.96Ba0.04(Sb3/4Li1/4)x(Zr0.52Ti0.48)1‑xO3，其中x＝1～3mol％。
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