[发明专利]一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201210007730.5 申请日: 2012-01-01
公开(公告)号: CN102569480A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 朱丽萍;杨美佳 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62;C30B23/02
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人: 刘晓春
地址: 310027*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。
搜索关键词: 一种 纳米 结构 氧化亚铜 pin 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池,其特征在于,包括如下结构:衬底(1);生长在衬底(1)上的P型氧化亚铜纳米线阵列(2);沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)表面的绝缘层(3);填充于绝缘层(3)外的N型层(4);生长于N型层(4)上的N型欧姆电极(5);生长在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)上的P型欧姆电极(6)。
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