[发明专利]一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201210007730.5 | 申请日: | 2012-01-01 |
公开(公告)号: | CN102569480A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 朱丽萍;杨美佳 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0296;H01L31/0352;H01L31/18;C30B30/02;C30B29/16;C30B29/62;C30B23/02 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 刘晓春 |
地址: | 310027*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 结构 氧化亚铜 pin 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池,其特征在于,包括如下结构:衬底(1);生长在衬底(1)上的P型氧化亚铜纳米线阵列(2);沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)表面的绝缘层(3);填充于绝缘层(3)外的N型层(4);生长于N型层(4)上的N型欧姆电极(5);生长在P型氧化亚铜纳米线阵列(2)上的P型欧姆电极(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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