[发明专利]储能结构、制造用于储能结构的支承结构的方法及包含储能结构的微电子组件和系统有效
| 申请号： | 201180074610.0 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN104025225A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | D·S·加德纳;陈朝晖;金薇;E·C·汉纳;J·L·古斯塔夫松;T·V·阿尔德里奇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/30;C25F3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种储能结构包括储能装置，储能装置包括包含多个通道(111、121)的至少一个多孔结构(110、120、510、1010)，多个通道(111、121)的每一个具有到多孔结构的表面(115、116、515、516、1015、1116)的开口(112、122)，并且进一步包括用于储能装置的支承结构(102、402、502、1002)。在特定的实施例中，多孔结构和支承结构两者都由第一材料形成，并且支承结构物理接触储能装置的第一部分(513、813、1213)并且暴露储能装置的第二部分(514、814、1214)。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 制造 用于 支承 方法 包含 微电子 组件 系统 | ||
【主权项】：
一种储能结构，包括：储能装置，所述储能装置包括至少一个多孔结构，其中所述多孔结构包含多个通道，所述多个通道的每一个具有到所述多孔结构的表面的开口；以及用于储能装置的支承结构。
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