[发明专利]氧化退火处理装置和使用氧化退火处理的薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201180053396.0 | 申请日： | 2011-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN103201828A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 太田纯史;桥本真人 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在氧化退火处理装置(1)的密闭容器状的装置主体(3)的内部配置有远红外线面状加热器(6)，连接对装置主体(3)内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管(8)和将装置主体(3)内的气体排出的排气管(11)，使氧补充气体供给管(8)与对基板(50)的氧缺陷部位喷射包含水蒸气和氧气的氧补充气体的喷嘴喷射口(16)连通。由此，即使是大型基板也能够在防止产生漏泄电流的同时以高吞吐量和低成本进行氧化退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 退火 处理 装置 使用 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化退火处理装置，其特征在于，包括：密闭容器状的装置主体；配置在所述装置主体的内部的远红外线面状加热器；向所述装置主体内供给包含水蒸气和氧气的氧补充气体的氧补充气体供给管；将所述装置主体内的气体排出的排气管；和喷嘴喷射口，其与所述氧补充气体供给管连通，对基板的氧缺陷部位喷射所述包含水蒸气和氧气的氧补充气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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