[发明专利]顶栅薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201110461856.5 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762312A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 黄宇华;史亮亮;赵淑云 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人： | 苗青盛;王凤华 |
| 地址： | 528225 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的V字型凹槽或V字型凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种顶栅薄膜晶体管的制造方法，包括：1)、在衬底表面上形成条状的V字型凹槽或V字型凸起；2)、沉积多晶硅薄膜，均匀地覆盖V字型凹槽或V字型凸起的各个侧壁；3)、对多晶硅薄膜进行离子注入，离子注入的角度使部分多晶硅薄膜被掺杂，同时使部分多晶硅薄膜未掺杂，其中掺杂的部分形成搭桥晶粒线以及源区和漏区；4)、在多晶硅薄膜上沉积栅绝缘层；5)、在栅绝缘层上形成栅电极，使栅电极覆盖多晶硅薄膜的V字型凹槽或V字型凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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