[发明专利]存储元件和存储装置有效
| 申请号： | 201110461334.5 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102592658A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 别所和宏;细见政功;大森广之;肥后丰;山根一阳;内田裕行;浅山彻哉 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及存储元件和存储装置。存储元件包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，该存储层的磁化的方向根据信息而改变；磁化固定层，其具有与用作存储在存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化；和非磁性物质的绝缘层，绝缘层设置在存储层和磁化固定层之间。在上述存储元件中，使用自旋转矩磁化反转来反转存储层的磁化以存储信息，通过层结构的层叠方向上流动的电流来产生自旋转矩磁化反转，该层结构包括存储层、绝缘层和磁化固定层，存储层在与绝缘层相反一侧上直接具有层，并且该层包括导电氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 元件 装置 | ||
【主权项】：
一种存储元件，其包括：存储层，其具有与膜表面垂直的磁化，所述存储层的磁化的方向根据信息而改变；磁化固定层，其具有与用作存储在所述存储层中的信息的基准的膜表面垂直的磁化；和由非磁性物质构成的绝缘层，其设置在所述存储层和所述磁化固定层之间，其中，使用自旋转矩磁化反转来反转所述存储层的磁化以存储信息，通过在层结构的层叠方向上流动的电流来产生所述自旋转矩磁化反转，所述层结构包括所述存储层、所述绝缘层和所述磁化固定层，所述存储层在与所述绝缘层相反一侧上直接设置有层，并且所述层包括导电氧化物。
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