[发明专利]二极管结构及其制造方法

摘要

本发明提出一种二极管结构及其制造方法，其在掺杂第一导电杂质的半导体基板上形成掺杂第一导电杂质的半导体层，并在半导体层上定义出主动区及终止区，主动区之中定义多个第一沟槽，终止区之中定义终止区沟槽。于沟槽内及平台的表面上形成第一绝缘层，再将电极层填充于沟槽中，之后于终止区上覆盖第二绝缘层，并移除部份位于平台上的第一绝缘层，再形成萧特基金属层(Schottky barrier layer)。最后，将第一接触垫覆盖在萧特基金属层及选择性地在部份第二绝缘层上，以及形成第二接触垫于半导体基板的背面。

主权项

一种二极管结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一掺杂第一导电型杂质的半导体基板，其上具有一掺杂该第一导电型杂质的半导体层；于该半导体层上形成一屏蔽层；图案化该屏蔽层及该半导体层，以使该半导体层定义出一主动区及一终止区，该终止区位于该主动区的外围，于该主动区之中定义出多个第一沟槽及一第一平台，于该终止区之中定义出至少一终止区沟槽及一第二平台，之后移除该屏蔽层；于每一第一沟槽的侧壁及底部、该终止区沟槽的侧壁及底部、该第一平台的表面上、及该第二平台的表面上形成一第一绝缘层；沉积一电极层以填充所述多个第一沟槽及该终止区沟槽；于部分已填充该电极层的该终止区沟槽上及该第二平台的该第一绝缘层上形成一图案化的该第二绝缘层；移除该主动区上的该第一绝缘层；在该主动区上、已填充该电极层的该终止区沟槽上及选择性地在部份该第二绝缘层上形成一萧特基金属层；形成一第一接触垫覆盖在该萧特基金属层上及选择性地在部分该第二绝缘层上；以及于该半导体基板的背面形成一第二接触垫。