[发明专利]正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法

摘要

本发明属于半导体器件领域，涉及一种正对电极结构、SiC光导开关及其它们的制造方法。本发明所述正对电极结构包括半绝缘SiC晶片、空心电极柱、半透明或透明电极层以及实心电极柱。其中，所述半绝缘SiC晶片为经过抛光处理的高纯半绝缘或者钒掺杂半绝缘的SiC晶片；所述半透明或透明电极层是Au(500nm)/Pt(100nm)/Ti(100nm)/Ni(50nm)半透明电极结构或者透明导电薄膜，任选进行相应的退火；所述空心电极柱和实心电极柱优选分别为空心铝电极柱和实心铝电极柱。所述SiC光导开关通过使用特氟隆模具将本发明所述正对电极结构绝缘封装、并进行抽气封装获得。相比现有技术，本发明所述SiC光导开关可以增加开关通光面积，同时保证开关有较高的耐压值。

主权项

一种正对电极结构，该结构包括：半绝缘SiC晶片；位于所述半绝缘SiC晶片上方的空心电极柱；位于所述半绝缘SiC晶片下方的实心电极柱；位于所述半绝缘SiC晶片的上表面、与所述空心电极柱的空心区域相对应的半透明或透明电极层；以及插入所述半绝缘SiC晶片下表面和实心电极柱之间的电极层。