[发明专利]一种制备GOI的方法

摘要

本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实现GOI材料的制备，且制备出的GOI材料具有高纯度、低缺陷的特点。本方法工艺简单，适合工业生产。

主权项

一种制备GOI的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供第一衬底，在所述第一衬底上形成应变层，然后在所述应变层上依次形成多个Ge组分渐变的Si1‑xGex层，其中，0.2≤x≤1，且各该Si1‑xGex层中Ge组分x逐渐增大，直至形成一Ge顶层；2)在所述Ge顶层上依次形成纯Ge层及第一绝缘层，然后在所述Ge顶层与纯Ge层界面处的一预设厚度内进行离子注入以在所述预设厚度内形成剥离层；3)提供具有第二绝缘层的第二衬底，键合所述第一绝缘层与第二绝缘层以形成键合结构；4)进行第一退火阶段以使所述键合结构从所述剥离层剥离，然后进行第二退火阶段以加强所述第一绝缘层与第二绝缘层的键合，最后对剥离后的所述纯Ge层表面进行抛光以完成所述GOI的制备。