[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法无效
| 申请号： | 201110411758.0 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165786A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管晶粒，包括：一磊晶结构，该磊晶结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间；一第一透明导电层，该第一透明导电层形成在第二半导体层上；一第二透明导电层，该第二透明导电层形成在第一透明导电层上，第二透明导电层的厚度大于第一透明导电层的厚度，该第一透明导电层的密度大于第二透明导电层的密度。本发明还涉及该种发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管晶粒的制造方法，包括以下步骤：提供一磊晶结构，该磊晶结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间；采用蒸镀的方法在第二半导体层上形成第一透明导电层；采用蒸镀的方法在第一透明导电层上形成厚度大于第一透明导电层的第二透明导电层；其中，生长第一透明导电层时采用的蒸镀速率小于生长第二透明导电层时采用的蒸镀速率。
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