[发明专利]多层布线铝互连工艺方法、铝线互连通孔及半导体产品无效
| 申请号： | 201110404077.1 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151299A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 张国伟;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多层布线铝互连的工艺方法、铝线互连的通孔及半导体产品，其中方法包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射导通材料层；在该导通材料层的表面进行上层铝布线。铝线互连通孔的结构包括：下层金属铝、钨塞、金属钛层和上层金属铝。本发明在钨回刻步骤之后增加溅射金属钛层的步骤，由于作为导通材料层例如金属Ti层的阶梯覆盖率较高，与钨塞和上层金属铝之间的粘附性较好，提高了上下铝金属互连通孔的可靠性，有效地降低了上层和下层铝金属的接触电阻，钨塞的导通电阻由此变的更为稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 布线 互连 工艺 方法 半导体 产品 | ||
【主权项】：
一种多层布线铝互连的工艺方法，其特征在于，包括：对已在接触孔中形成钨塞的晶片进行钨回刻，去除接触孔之外的金属钨；所述钨塞连通下层金属铝；在经过钨回刻的晶片表面溅射金属钛层，形成导通材料层；在所述导通材料层的表面进行上层铝布线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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