[发明专利]一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法

摘要

本发明提供一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，依据具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型的测试数据初步构建器件模型，依据衬底掺杂浓度分布把所述器件模型的浅沟道隔离槽定位出顶部区域与底部区域，并依据经过辐射后器件的测试数据对所述顶部区域及底部区域添加不同的等效模拟电荷获得与测试数据拟合的模拟数据，以确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，从而确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。本方法步骤简单，能较准确的模拟深亚微米器件总剂量辐射效应，并能反应总剂量辐射效应对器件不同部位的影响，为器件的抗总剂量辐射效应的加固提供可靠的依据。

主权项

一种用于分析深亚微米器件总剂量辐射效应的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件原型，并对所述深亚微米器件原型进行测试获得第一测试Ids‑Vgs曲线，根据所述深亚微米器件原型的工艺参数初步建立具有浅沟道隔离槽结构的深亚微米器件模型，并获得第一模拟Ids‑Vgs曲线，然后通过改变预设参数拟合所述第一测试Ids‑Vgs曲线与第一模拟Ids‑Vgs曲线，以确定所述深亚微米器件模型的预设参数值；2)依据衬底掺杂浓度分布数据把所述深亚微米器件模型的浅沟道隔离槽分别定义出顶部区域及底部区域，以获得最终的深亚微米器件模型；3)对所述深亚微米器件原型分别进行预设剂量的辐射，并对经过辐射的深亚微米器件原型进行测试，以获得第二测试Ids‑Vgs曲线；4)根据所述第二测试Ids‑Vgs曲线，分别对所述深亚微米器件模型的顶部区域及底部区域添加等效模拟电荷，并通过改变所述等效模拟电荷的密度以获得与所述第二测试Ids‑Vgs曲线拟合的第二模拟Ids‑Vgs曲线，然后依据所述第二模拟Ids‑Vgs曲线确定所述等效模拟电荷在所述深亚微米器件模型顶部区域及底部区域的作用，以确定总剂量辐射效应在所述深亚微米器件原型顶部区域及底部区域的作用。