[发明专利]一种单晶硅片清洁方法无效
| 申请号： | 201110403867.8 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103147132A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王竞争 | 申请（专利权）人： | 浚鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 214443 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶硅片清洁方法，包括步骤：1)对硅片进行烘烧处理；2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；3)对硅片进行去损伤处理。在上述单晶硅片清洁方法中，首先对硅片进行烘烧处理，该步骤能够通过高温烘烧作用将单晶硅片表面上贴覆的贴纸或者有机物燃烧掉。然后对烘烧处理后的硅片进行超声波清洗，在对硅片进行了烘烧处理后再采用超声波清洗，能够将硅片表面的小固体颗粒清除。最后对清洗洁净的硅片进行去损伤处理，进一步提高单晶硅片表面的平整程度，提高硅片与碱液的反应质量。本发明提供的一种单晶硅片清洁方法结合烘烧与超声波清洗共同对单晶硅片表面进行处理，能够有效清除硅片表面的杂质，从而提高了单晶硅片的制绒质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅片清洁方法，其特征在于，包括步骤：1)对硅片进行烘烧处理；2)将烘烧处理后的硅片进行超声波清洗；3)对硅片进行去损伤处理。
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