[发明专利]一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置有效
| 申请号： | 201110402331.4 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103144011A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 党宇星;闫志瑞;库黎明;冯泉林;索思卓;盛方毓 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，该方法包括以下步骤：(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光；(2)用超纯氮气吹硅片表面，控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1～50kpa，持续时间为0.1～10秒；(3)用去离子水冲洗硅片表面。一种控制硅片抛光表面微粗糙度的抛光装置，该抛光装置包括旋转大盘、抛光垫、抛光头、抛光液输送装置及清洗槽，抛光垫贴设在旋转大盘上，抛光头设置在抛光垫的上方，抛光液输送装置设置在旋转大盘的一侧，所述清洗槽的喷水管上连接有超纯氮气输出装置。本发明可以有效地降低精抛过程中硅片的表面粗糙度即光雾度数值，从而可以制造出高洁净度的硅片，提高产品的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 硅片 抛光 表面 粗糙 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光；(2)用超纯氮气吹硅片表面，控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1～50kpa，持续时间为0.1～10秒；(3)用去离子水冲洗硅片表面。
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