[发明专利]SDRAM测试方法在审
| 申请号： | 201110401342.0 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN103137212A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李真花;刘小威 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;北京大学;北京北大方正电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种SDRAM测试方法，包括：以SDRAM的工作时钟作为测试时钟，SDRAM的读写接口为测试接口，依次向SDRAM所有存储单元写入数据，将读取数据与写入数据进行比对判断，以诊断SDRAM的所有存储单元。本发明可以高速稳定地测试诊断SDRAM。 | ||
| 搜索关键词： | sdram 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种SDRAM测试方法，其特征在于，包括：以SDRAM的工作时钟作为测试时钟，SDRAM的读写接口为测试接口，依次向SDRAM所有存储单元写入数据，将读取数据与写入数据进行比对判断，以诊断SDRAM的所有存储单元。
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