[发明专利]CMOS一次性可编程只读存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201110398708.3 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102427066A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/112 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS一次性可编程只读存储器及其制造方法，存储器包括控制管和存储管，制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其中形成有N阱；在N阱的两侧形成局部氧化隔离，以及在P型硅衬底上、N阱的上表面形成控制管和存储管的栅极氧化层、栅极和轻掺杂漏；在存储器的表面依次淀积二氧化硅层和氮化硅层；采用干法刻蚀法刻蚀二氧化硅层和氮化硅层，在栅极两侧分别形成肩型侧墙；对存储器进行后续源/漏注入工艺。本发明经过侧墙与硅化物阻挡层(SBK)工艺优化的OTP ROM性能良好，可靠性特别是电荷的保持时间性能得到很大的改善且工艺稳定可靠。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 一次性 可编程 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS一次性可编程只读存储器(200)的制造方法，所述存储器(200)包括控制管(201)和存储管(202)，所述制造方法包括步骤：提供P型硅衬底(203)，其中形成有N阱(204)；在所述N阱(204)的两侧形成局部氧化隔离(205)，以及在所述P型硅衬底(203)上、所述N阱(204)的上表面形成所述控制管(201)和所述存储管(202)的栅极氧化层(206、207)、栅极(208、209)和轻掺杂漏(211、212、213)；在所述存储器(200)的表面依次淀积二氧化硅层(214)和氮化硅层(215)；采用干法刻蚀法刻蚀所述二氧化硅层(214)和所述氮化硅层(215)，在所述栅极(208、209)两侧分别形成肩型侧墙(216)；以及对所述存储器(200)进行后续源/漏注入工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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