[发明专利]介电组合物有效

专利信息
申请号: 201110392847.5 申请日: 2011-12-01
公开(公告)号: CN102487125B 公开(公告)日: 2017-06-06
发明(设计)人: 吴贻良;Y·王;柳平;胡南星;A·维格勒斯沃斯 申请(专利权)人: 施乐公司
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/30;H01L51/10;H01L51/05
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 代理人: 李丙林,曹桓
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种电子器件,例如薄膜晶体管,包括衬底和由介电组合物形成的介电层。所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂。该低表面张力添加剂使得形成具有更少针孔和更高器件成品率的薄的平滑介电层。在具体实施方案中,所述介电材料包括k较低的介电材料和k较高的介电材料。当沉积时,k较低的介电材料和k较高的介电材料形成分离相。
搜索关键词: 组合
【主权项】:
一种改进电子器件的成品率或降低介电层的针孔密度和表面粗糙度的方法,其包括:沉积介电组合物于衬底上,所述介电组合物包括介电材料和低表面张力添加剂;任选地加热该介电组合物,从而在所述衬底上形成介电层;其中所述低表面张力添加剂的存在量为所述介电材料的1.0至3.0wt%,其中所述低表面张力添加剂选自改性聚硅氧烷、碳氟改性聚合物、小分子碳氟化合物、聚合碳氟化合物和丙烯酸酯共聚物。
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