[发明专利]自举预充电的快速限幅字线偏置电路有效
| 申请号： | 201110389655.9 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102592655A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 杨诗洋;陈岚;陈巍巍;龙爽;雷镇海 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种自举预充电的快速限幅字线偏置电路包括基准电压产生电路、提供初始置位电位的静态钳位电路、接收使能信号的预充控制信号产生电路、提供电压Vboost的boost电压产生电路、作为输出管的NMOS管M1、接收使能信号的使能控制PMOS管M2、预充控制NMOS管M3、接地的开关NMOS管M4，将所述电压Vboost加载到所述NMOS管M1的电容Cb及反相器I5。本发明可快速将负载从静态钳位电路给定的基准电压升高到预定的电压值，且由于采用的限幅预充，防止了过充电情况的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 快速 限幅 偏置 电路 | ||
【主权项】：
一种自举预充电的快速限幅字线偏置电路，其特征在于，包括：基准电压产生电路、提供初始置位电位的静态钳位电路、接收使能信号的预充控制信号产生电路、提供电压Vboost的boost电压产生电路、作为输出管的NMOS管M1、接收使能信号的使能控制PMOS管M2、预充控制NMOS管M3、接地的开关NMOS管M4，将所述电压Vboost加载到所述NMOS管M1的电容Cb及反相器I5；所述基准电压产生电路分别与所述电容Cb和所述NMOS管M1的栅极连接；所述预充控制信号产生电路的输出端与所述预充控制NMOS管M3的栅极连接，还通过反相器I5与所述接地的开关NMOS管M4的栅极连接；所述预充控制NMOS管M3的源极与所述boost电压产生电路连接；所述电容Cb一端连接在所述基准电压产生电路和所述NMOS管M1的栅极之间，另一端分别与所述接地的开关NMOS管M4的漏极与所述预充控制NMOS管M3的漏极连接；所述NMOS管M1的漏极与所述使能控制PMOS管M2的漏极连接，源极与所述静态钳位电路连接；所述NMOS管M1的漏极和所述静态钳位电路之间设置有上电后输出电位；所述使能控制PMOS管M2的源极接电源VDD。
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