[发明专利]一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法有效
| 申请号： | 201110386560.1 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103132084A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C23F17/00 | 分类号： | C23F17/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 孙东风;王锋 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，包括步骤：Ⅰ.在半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5和Y2O3中的一种或者几种，介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。本发明提供的方法使得半导体表面非辐射复合减少，反射损耗减少，有效提高载流子收集效率，实现宽谱广角减反功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 折射率 半导体 表面 钝化 复合 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高折射率半导体表面减反钝化复合结构的制备方法，其特征在于包括步骤：Ⅰ.在高折射率半导体表面制备一层用于钝化表面的介质膜，所述介质膜为SiO2膜，SiN膜，TiO2膜，Al2O3膜、HfO2膜中一种或含一种以上成分的组合膜；Ⅱ.再在介质膜上制备基于高折射率介质材料的折射率渐变介质层，其中所述高折射率介质材料根据需要匹配的高折射率半导体材料及其需要减反的波长范围选为SiN、HfO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5和Y2O3中的一种或者几种，所述介质膜与折射率渐变介质层组合为减反钝化复合结构。
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