[发明专利]用于氧正硅酸盐材料制造的晶体生长气氛在审
| 申请号： | 201110378005.4 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102477580A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | M.S.安德里科;P.舒普里琴斯基;A.A.凯里 | 申请（专利权）人： | 美国西门子医疗解决公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周铁;林森 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法以及用所述方法生长的晶体。所述方法包括通过熔融包括至少一种第一稀土元素的第一物质制备熔体，和提供包括惰性气体和含氧气体的气氛。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 硅酸盐 材料 制造 晶体生长 气氛 | ||
【主权项】：
生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法，包括：通过以下步骤制备熔体：熔融包括至少一种第一稀土元素的第一物质；熔融下列物质中的至少一种：包括第2族元素的物质、包括第3族元素的物质、包括第6族元素的物质或包括第7族元素的物质；提供包括惰性气体和含氧气体的气氛，所述气氛与所述熔体的表面相接触；提供籽晶；以所述籽晶接触所述熔体的表面；和从所述熔体提拉所述籽晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国西门子医疗解决公司，未经美国西门子医疗解决公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110378005.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高尔夫球杆用握把
- 下一篇：通过“随机数”让用户公平进入队列的方法
