[发明专利]TFT‑LCD阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110369741.3 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN103123428B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 曹兆铿 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L23/60;H01L21/77
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 郑玮
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种TFT‑LCD阵列基板及其制造方法,通过梳形修复线的梳齿与梳形公共电极线的梳齿相对设置,且末端均成尖锐状,利用尖端放电效应,消除修复线上的静电电荷,即避免了修复线上由于静电电荷聚集过多,击穿与数据线隔离的栅绝缘层,导致数据线和修复线短路的问题,提高了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。特别的,将聚集在修复线上的静电电荷导入到公共电极线上,利用公共电极线与固定电位连接,有效消除聚集的静电电荷。
搜索关键词: tft lcd 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种TFT‑LCD阵列基板,其特征在于,包括:梳形修复线及梳形公共电极线,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿的数量均为多个;所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置,且末端均成尖锐状;其中,所述梳形修复线与所述梳形公共电极线位于第一金属层;还包括:非晶硅片,所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠;所述非晶硅片位于所述第一金属层之上的非晶硅层;所述第一金属层及所述非晶硅层之间形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上设置有开口,所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿,通过所述开口,所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。
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