[发明专利]TFT‑LCD阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110369741.3 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN103123428B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 曹兆铿 申请(专利权)人: 上海中航光电子有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;H01L23/60;H01L21/77
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 郑玮
地址: 201108 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: tft lcd 阵列 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种TFT-LCD阵列基板,其特征在于,包括:

梳形修复线及梳形公共电极线,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿的数量均为多个;

所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置,且末端均成尖锐状;

其中,所述梳形修复线与所述梳形公共电极线位于第一金属层;

还包括:非晶硅片,所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠;所述非晶硅片位于所述第一金属层之上的非晶硅层;所述第一金属层及所述非晶硅层之间形成有栅绝缘层,所述栅绝缘层上设置有开口,所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿,通过所述开口,所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。

2.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿末端间的距离为3微米~5微米。

3.如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,还包括:

栅极线,所述栅极线与所述梳形修复线及梳形公共电极线平行设置,且所述栅极线位于第一金属层;

数据线,所述数据线与所述梳形修复线及梳形公共电极线交叉设置,且所述数据线位于第二金属层。

4.如权利要求3所述的TFT-LCD阵列基板,其特征在于,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿正对所述数据线。

5.一种如权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:

提供一玻璃基板;

在所述玻璃基板上形成第一金属层,通过所述第一金属层形成梳形修复线及梳形公共电极线,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿的数量均为多个,所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置,且末端均成尖锐状;

在所述第一金属层之上形成非晶硅层,通过所述非晶硅层形成非晶硅片,所述非晶硅片与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿连接;

其中,在所述第一金属层之上形成非晶硅层之前,还包括:

在所述第一金属层上形成栅绝缘层,所述栅绝缘层上形成开口,所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿。

6.如权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法,其特征在于,还包括:在所述非晶硅层上形成第二金属层,通过所述第二金属层形成数据线,所述数据线与所述梳形修复线及梳形公共电极线交叉设置。

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