[发明专利]TFT‑LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，特别涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)具有低电压、微功耗、显示信息量大、易于彩色化等优点，在当前的显示器市场占据了主导地位。其已被广泛应用于电子计算机、电子记事本、移动电话、摄像机、高清电视机等电子设备中。

薄膜晶体管液晶显示器包括对盒而成的阵列基板和彩膜基板，以及充满在阵列基板和彩膜基板之间的间隙内的液晶层。所述薄膜晶体管液晶显示器显示图像的基本原理是：通过在所述阵列基板和彩膜基板上施加作用于液晶层上的电场，控制所述液晶层分子的取向，从而控制穿透过液晶层分子的照射光线的多少，即达到调制通过液晶层的光强的目的。

在半导体器件中，静电放电(Electro Static Discharge，ESD)是一种常见的现象，静电放电会导致绝缘介质的击穿，从而引起各种损伤。而薄膜晶体管液晶显示器由于其阵列基板及彩膜基板均是绝缘的玻璃，从而在制造过程中产生的静电电荷极易聚集在玻璃的阵列基板及彩膜基板上，并且，静电电荷能够施加到各膜层上，从而产生严重的静电放电损害，造成薄膜晶体管的失效；传输线的短路、断路等问题，影响产品的生产良率。

现有的薄膜晶体管液晶显示器的阵列基板上交叉设置有数据线及修复线，其中所述数据线向薄膜晶体管提供预设的电压数据，用以控制薄膜晶体管液晶显示器各像素的液晶偏转程度等；而所述修复线在阵列基板出现断线等情况时，用以修复断线，提高阵列基板产品的良率。所述修复线与阵列基板上的栅极线同一层形成，其与数据线之间通过栅绝缘层隔离。修复线上易于聚集大量静电电荷，由于静电放电现象的存在，所述数据线与修复线的交叉位置极易发生击穿，从而导致数据线和修复线短路，降低了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，以解决现有的TFT-LCD阵列基板中修复线上易于聚集大量静电电荷，数据线与修复线的交叉位置极易由于静电放电现象而发生击穿，导致数据线和修复线短路，降低了薄膜晶体管液晶显示器的可靠性及良率的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种TFT-LCD阵列基板，包括：梳形修复线及梳形公共电极线；所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状；其中，所述梳形修复线与所述梳形公共电极线位于第一金属层。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，还包括：非晶硅片，所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述非晶硅片位于所述第一金属层之上的非晶硅层。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述第一金属层及所述非晶硅层之间形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设置有开口，所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿，通过所述开口，所述非晶硅片分别与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿部分重叠。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿末端间的距离为3微米～5微米。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿的数量为多个。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，还包括：栅极线，所述栅极线与所述梳形修复线及梳形公共电极线平行设置，且所述栅极线位于第一金属层；数据线，所述数据线与所述梳形修复线及梳形公共电极线交叉设置，且所述数据线位于第二金属层。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板中，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿正对所述数据线。

本发明还提供一种TFT-LCD阵列基板的制造方法，包括：提供一玻璃基板；在所述玻璃基板上形成第一金属层，通过所述第一金属层形成梳形修复线及梳形公共电极线，所述梳形修复线的梳齿与所述梳形公共电极线的梳齿相对设置，且末端均成尖锐状。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，还包括：在所述第一金属层之上形成非晶硅层，通过所述非晶硅层形成非晶硅片，所述非晶硅片与所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿连接。

可选的，在所述的TFT-LCD阵列基板的制造方法中，在所述第一金属层之上形成非晶硅层之前，还包括：在所述第一金属层上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层上形成开口，所述开口露出所述梳形修复线的梳齿及所述梳形公共电极线的梳齿。