[发明专利]快速热处理设备及方法无效
| 申请号： | 201110366757.9 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN103123905A | 公开（公告）日： | 2013-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郑刚;华伟;胡浩 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快速热处理设备，包括工艺腔和承片室，承片室内有载片台，该载片台采用耐高温材料制成。本发明还公开了使用上述设备进行快速热处理的方法，包括步骤：1)将晶圆片从承片室传至工艺腔，进行高温退火处理；2)将晶圆片从工艺腔直接传回承片室，并放置在载片台上；3)在承片室内抽放氮气2～3次；4)打开承片室，取出晶圆片。本发明通过用耐高温材料制作载片台，使经过高温退火处理后的晶圆片能够直接传回承片室，在延长的N2抽放时间内自然降温，从而突破了RTP设备原有的作业方式，减少了每批次产品的RTP作业时间，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 热处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种快速热处理设备，包括工艺腔和承片室，承片室内有载片台，其特征在于，所述载片台采用耐高温材料制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
