[发明专利]形成光掩膜版的方法及光掩膜版有效
| 申请号： | 201110360446.1 | 申请日： | 2011-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103105727A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 陈洁;王谨恒 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;汪洋 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种形成光掩膜版的方法及光掩膜版。所述方法包括：a）提供静态随机存取记忆器有源区的设计图形，所述设计图形包括多个交错排列的单元，所述单元包括位于两端的头部和连接在所述头部之间的颈部；b）在相邻的所述单元的内侧设置矩形缺口，以形成光掩膜版图形，其中，所述矩形缺口位于所述颈部的端部；以及c）形成具有所述光掩膜版图形的光掩膜版。本发明的方法通过在静态随机存取记忆器有源区图形的相邻单元的内侧的、头部的下方设置矩形缺口可以增大随后以该掩膜版图形进行光刻工艺在晶片上获得的光刻图形在该区域内头对头之间的间距，因此可以有效地抑制连桥现象，提高良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 光掩膜版 方法 | ||
【主权项】：
一种形成光掩膜版的方法，其特征在于，所述方法包括：a）提供静态随机存取记忆器有源区的设计图形，所述设计图形包括多个交错排列的单元，所述单元包括位于两端的头部和连接在所述头部之间的颈部；b）在相邻的所述单元的内侧设置矩形缺口，以形成光掩膜版图形，其中，所述矩形缺口位于所述颈部的端部；以及c）形成具有所述光掩膜版图形的光掩膜版。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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