[发明专利]一种用于测定硅中杂质的方法有效
| 申请号： | 201110353075.4 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102565014A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 库尔特·邦奥尔-克莱普 | 申请（专利权）人： | 瓦克化学股份公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N21/35;G01N1/38 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 张英;刘书芝 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于测定硅中杂质的方法，其中由待测硅通过区域精制制备单晶棒；在至少一个稀释步骤中，将该单晶硅棒引入由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的套管中，然后由单晶硅棒和套管通过区域精制而制备稀释的单晶硅棒；其中，通过光致发光法或者FTIR或者二者借助于稀释的单晶硅棒进行待测硅中的杂质的测定。即使掺杂物浓度极高，该方法仍能允许采用光致发光法量化测定掺杂元素。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测定 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种用于测定硅中杂质的方法，其中由待测硅通过区域精制来制备单晶棒；在至少一个稀释步骤中，将该单晶硅棒引入由具有限定的碳和掺杂物浓度的单晶硅或多晶硅制成的套管中，然后由该棒和套管通过区域精制而制备稀释的单晶硅棒；其中，通过光致发光法或者FTIR或者二者借助于稀释的单晶硅棒进行所述待测硅中的杂质的测定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦克化学股份公司，未经瓦克化学股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110353075.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生物纳米饲料组合物及其应用
- 下一篇：一种α-硫辛酸原料药的制备方法
