[发明专利]用于溅射装置的磁路无效

专利信息
申请号: 201110345009.2 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN102453882A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 小林秀树 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种用于磁控溅射装置的磁路,其在靶表面上方产生高磁场强度的弧形磁力线并且具有提高的抗退磁性。该磁路包括:内部磁体;外部磁体,其具有与内部磁体的磁化方向相反的磁化方向且围绕内部磁体;水平磁化磁体,其设置在内部磁体和外部磁体之间,并且在垂直于内部磁体和外部磁体的磁化方向的方向上并且在从内部磁体到外部磁体的方向上或者从外部磁体到内部磁体的方向上被磁化;以及磁轭,其设置成磁通穿过位于内部磁体和外部磁体之间的磁轭,其中水平磁化磁体的磁矫顽力在接近靶侧的区域处比在磁体的内部中心处大。
搜索关键词: 用于 溅射 装置 磁路
【主权项】:
一种用于磁控溅射装置的磁路,其中上述磁路设置在靶的背侧并且产生在上述靶的表面上方绘制弧形磁力线的漏磁场,上述磁路包括:内部磁体;外部磁体,其具有与上述内部磁体的磁化方向相反的磁化方向且围绕上述内部磁体;水平磁化磁体,其设置在上述内部磁体和上述外部磁体之间,并且在垂直于上述内部磁体和上述外部磁体的磁化方向的方向上且在从上述内部磁体到上述外部磁体的方向上或者从上述外部磁体到上述内部磁体的方向上被磁化;以及磁轭,其设置成隔着介于上述磁轭与靶之间的磁体而面向靶,使得磁通穿过位于上述内部磁体和上述外部磁体之间的上述磁轭,其中上述水平磁化磁体的磁矫顽力的值在上述水平磁化磁体的接近靶侧的区域处比在上述水平磁化磁体的内部中心处大。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110345009.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top