[发明专利]一种用于EUV光刻系统的复眼反射镜制作方法无效
| 申请号： | 201110337987.2 | 申请日： | 2011-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN102385082A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 金春水;王辉;郑琪峰;周烽;王丽萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | G02B5/09 | 分类号： | G02B5/09;G03F7/20 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种用于EUV光刻系统的复眼反射镜制作方法，涉及EUV光刻技术领域，它解决现有复眼反射镜采用紧密拼接实现单块反射镜位置精度的方法适用于反射镜数量较少情况，并且当反射镜的数量增加时存在单块反射镜定位误差累积的问题，其方法为：选择直径为一寸的硅块表面电镀厚度为100μm的镍层，再在硅块的另一表面上进行精抛加工，采用精密线切割技术，从所述的加工后的硅块上切割单块反射镜，将单块反射镜固定在设置磁铁层的底板上；所述单块反射镜的尺寸比实际单块反射镜的尺寸小50～100μm；采用光学定位系统观测，调整单块反射镜的位置，实现单块反射镜的定位；重复操作，实现复眼反射镜的制作。本发明适用于EUV光刻领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 euv 光刻 系统 复眼 反射 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于EUV光刻系统的复眼反射镜制作方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：步骤一、选择直径为一寸的硅块表面电镀厚度为100μm的镍层(5)，然后在所述硅块的另一表面上进行精抛加工，获得加工后的硅块；步骤二、采用精密线切割技术，从步骤一所述的加工后的硅块上切割单块反射镜(1)，将所述单块反射镜(1)固定在设置磁铁层(6)的底板(4)上；所述单块反射镜(1)的尺寸比实际单块反射镜的尺寸小50～100μm；步骤三、采用光学定位系统观测，调整单块反射镜(1)的位置，实现单块反射镜(1)的定位；步骤四、重复步骤二和步骤三，完成多块反射镜的定位，所述多块反射镜之间存在间隙，最终实现复眼反射镜的制作。
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