[发明专利]单晶硅边皮的清洗方法有效
| 申请号： | 201110320960.2 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102380490A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 俞振明;王欣;杨乐 | 申请（专利权）人： | 高佳太阳能股份有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈慧珍 |
| 地址： | 214174 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种单晶硅边皮的清洗方法，包括如下步骤：1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。针对表面积不大且形状规则的硅体，特别是单晶硅边皮，所提出该清洗方法，克服了传统清洗方法的浪费，避免了大量使用酸性溶液，减少了大量废酸废气的产生，并同时减少了硅体自身的损耗，通过该方法清洗的产品，经拉晶试验后效果与传统酸洗效果相当。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 清洗 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅边皮的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：1)使用有机溶剂相似相溶擦拭硅体表面的油性成分，2)进行超声清洗前，在清洗溶液中添加普通洗涤剂，用以去除颗粒粉尘，并进一步去除油性成分，3)进行多槽超声清洗，并通过电导率测试仪检测使用后的水溶液的电导率来判断是否洗净，要求电导率小于100μS/cm。
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