[发明专利]一种提高HBT高频稳定性的方法

摘要

本发明公开了一种提高HBT器件高频稳定性的方法，该方法步骤如下：(1)首先选择K稳定因子为1的频率点fK＝1大于1GHz的HBT器件；(2)建立HBT器件的共发射极混合PI型小信号模型，利用该小信号模型获得小信号参数与器件外延层参数和器件尺寸结构参数的关系式；(3)根据高频稳定性设计要求、电路的高频增益要求，利用步骤(2)中获取的关系式，获得满足优化目标的优化参数；(4)利用优化后的参数及步骤(2)中获取的关系式，来降低K稳定因子为1的频率点fK＝1，扩大HBT器件的无条件稳定带宽，从而改进其高频稳定性。该方法既可以实现放大器的稳定性设计，又可以避免使用外加的稳定网络，从而提高了电路的整体性能。

主权项

一种提高HBT高频稳定性的方法，其特征是，对HBT器件内部外延层参数进行优化，降低K稳定因子为1的频率点fK＝1，扩大HBT器件的无条件稳定带宽，从而改进其高频稳定性，该方法的实现步骤如下：(1)首先选择K稳定因子为1的频率点fK＝1大于1GHz的HBT器件；(2)在电路仿真软件ADS中建立步骤(1)中所述HBT器件的共发射极混合PI型小信号模型，利用该小信号模型获得小信号参数与器件外延层参数和器件尺寸结构参数的关系式；其中：基极外延层厚度、基极外延层掺杂浓度和发射极外延层掺杂浓度为待优化参数；(3)根据高频稳定性设计要求、电路的高频增益要求，利用步骤(2)中获取的关系式，选择梯度优化算法，获得满足优化目标的优化参数：基极外延层厚度、基极外延层掺杂浓度和发射极外延层掺杂浓度；(4)利用优化后的参数及步骤(2)中获取的关系式，来降低K稳定因子为1的频率点fK＝1，扩大HBT器件的无条件稳定带宽，从而改进其高频稳定性。