[发明专利]一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法有效

专利信息
申请号: 201110318140.X 申请日: 2011-10-19
公开(公告)号: CN102412017A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 高召顺;马衍伟;王雷;姚超;齐彦鹏;王春雷;张现平;王栋樑 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B12/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法,在铁基超导体块材或线带材的先驱粉或原料粉中添加锡、含锡化合物或含锡合金,混合均匀后,将先驱粉压制成块,或填入金属管、复合金属管或合金管中拉拔轧制成线带材。再将块材或线带材在保护气氛或者真空条件下,经200-1300℃焙烧1秒钟-100小时。本发明制备的铁基超导体具有优异的超导特性:高的临界电流特性、高的上临界场和不可逆场。
搜索关键词: 一种 提高 超导体 临界 电流密度 方法
【主权项】:
一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法,其特征是:所述的提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法的步骤如下:首先将铁基超导材料A1‑xBxFe2As2,A=Ba、Sr、Eu或Ca,B=Cs、Rb、K、Na,x=0‑0.7,或者是将铁基超导材料BxFe2Se2,B=Cs、Rb、K、Na,x=0‑0.7,或者是铁基超导材料LnFeAsO1‑δFδ,Ln为选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y中的一种或多种元素;δ=0‑0.4,合成铁基超导体前驱粉;再将锡粉或含锡化合物或含锡合金添加到所述的铁基超导体前驱粉中,混合均匀,所述的锡粉或含锡化合物或含锡合金与所述铁基超导体前驱粉的质量比为0~0.4∶1,然后将掺有锡粉或含锡化合物或焊锡合金的铁基超导体前驱粉压制成块,或填入金属管、复合金属管或合金管中,进行旋锻、拉拔、轧制、加工得到块材、线材或带材;最后,将加工成型的块材或线材或带材置于真空或氩气保护气氛中,在200‑1300℃的温度下烧结1秒钟‑100小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110318140.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top