[发明专利]平面磁控溅射阴极无效
申请号: | 201110309710.9 | 申请日: | 2011-10-13 |
公开(公告)号: | CN103046009A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 黄登聪;彭立全 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种平面磁控溅射阴极,其包括靶材、磁体装置、磁靴,所述磁体装置装设于靶材的背面,所述磁体装置包括平行且间隔设置的三第一磁体,该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间,该磁体装置还包括四第二磁体,该四第二磁体为两两一组设置于相邻的二第一磁体之间;且该磁体装置中相邻的第一磁体与第二磁体的极性排布相反,相邻的二第二磁体的极性排布相反。本发明平面磁控溅射阴极能够使靶材表面的磁场强度分布更加均匀,使得靶材表面的蚀刻区大大宽化,从而有效提高了靶材的利用率。 | ||
搜索关键词: | 平面 磁控溅射 阴极 | ||
【主权项】:
一种平面磁控溅射阴极,其包括靶材、磁体装置、磁靴,所述磁体装置装设于靶材的相对于溅射表面的一面,所述磁靴设置于磁体装置远离所述靶材的一面,所述磁体装置包括平行且等间隔设置的三第一磁体,该三第一磁体分别设置于靶材的两侧和中间,且相邻的二第一磁体的极性排布相反,其特征在于:该磁体装置还包括四第二磁体,该四第二磁体为两两一组设置于相邻的二第一磁体之间,且每一第二磁体均与所述第一磁体平行;且该磁体装置中相邻的第一磁体与第二磁体的极性排布相反,相邻的二第二磁体的极性排布相反。
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