[发明专利]逆向电压保护装置无效

专利信息
申请号: 201110307857.4 申请日: 2011-10-12
公开(公告)号: CN103050964A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 王铭圣;章守坚;伍家进;徐春凤 申请(专利权)人: 昆山广兴电子有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 代理人: 潘光兴
地址: 215301 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种逆向电压保护装置,其包含一输入端、一输出端及一控制端。该逆向电压保护装置以该输入端及输出端串联连接于一直流电源及一风扇电路之间,或串联连接于该风扇电路及一接地点之间。当该逆向电压保护装置连接于该直流电源及风扇电路之间,其包含一PMOSFET分别以漏极、源极与栅极依序连接该输入端、输出端及控制端,且该控制端连接一低准位电压;当该逆向电压保护装置连接于该风扇电路及接地点之间,其包含一NMOSFET分别以源极、漏极与栅极依序连接该输入端、输出端及控制端,且该控制端连接一高准位电压。相较于以二极管构成的现有逆向电压保护装置可具有低导通电压、低回路耗损及低零件温升的特性。
搜索关键词: 逆向 电压 保护装置
【主权项】:
一种逆向电压保护装置,其特征在于,其包含:一个输入端,连接一个直流电源;一个输出端,连接一个风扇电路;及一个控制端,连接一个低准位电压;其中另具有一个p沟道金氧半场效晶体管,该p沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输入端,该p沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输出端,且该p沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山广兴电子有限公司,未经昆山广兴电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110307857.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top