[发明专利]逆向电压保护装置无效
申请号: | 201110307857.4 | 申请日: | 2011-10-12 |
公开(公告)号: | CN103050964A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | 王铭圣;章守坚;伍家进;徐春凤 | 申请(专利权)人: | 昆山广兴电子有限公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00 |
代理公司: | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 潘光兴 |
地址: | 215301 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种逆向电压保护装置,其包含一输入端、一输出端及一控制端。该逆向电压保护装置以该输入端及输出端串联连接于一直流电源及一风扇电路之间,或串联连接于该风扇电路及一接地点之间。当该逆向电压保护装置连接于该直流电源及风扇电路之间,其包含一PMOSFET分别以漏极、源极与栅极依序连接该输入端、输出端及控制端,且该控制端连接一低准位电压;当该逆向电压保护装置连接于该风扇电路及接地点之间,其包含一NMOSFET分别以源极、漏极与栅极依序连接该输入端、输出端及控制端,且该控制端连接一高准位电压。相较于以二极管构成的现有逆向电压保护装置可具有低导通电压、低回路耗损及低零件温升的特性。 | ||
搜索关键词: | 逆向 电压 保护装置 | ||
【主权项】:
一种逆向电压保护装置,其特征在于,其包含:一个输入端,连接一个直流电源;一个输出端,连接一个风扇电路;及一个控制端,连接一个低准位电压;其中另具有一个p沟道金氧半场效晶体管,该p沟道金氧半场效晶体管的漏极连接该输入端,该p沟道金氧半场效晶体管的源极连接该输出端,且该p沟道金氧半场效晶体管的栅极连接该控制端。
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