[发明专利]伪页面模式存储器架构和方法有效
| 申请号： | 201110307196.5 | 申请日： | 2011-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102446539A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | A.E.翁格 | 申请（专利权）人： | 格兰迪斯股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/18;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种伪页面模式存储器架构和方法，是一种非易失性存储阵列包括多个字线和多个列。所述列之一还包括耦合到第一、第二、第三和第四信号线的双稳态再生电路。所述列还包括非易失性存储单元，其具有耦合到第一信号线和第二信号线的载流端和耦合到多个字线之一的控制端。所述列还包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管耦合到双稳态再生电路的第一端和第五信号线。第二晶体管具有耦合到双稳态再生电路的第二端的第一载流端和耦合到第六信号线的第二载流端。第一晶体管和第二晶体管的栅极端耦合到第七信号线。 | ||
| 搜索关键词： | 页面 模式 存储器 架构 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储阵列，包括：多个字线；以及多个列；所述多个列之一还包括：双稳态再生电路，其具有耦合到第一信号线的第一端、耦合到第二信号线的第二端、耦合到第三信号线的第三端、以及耦合到第四信号线的第四端；非易失性存储单元，其具有耦合到所述第一信号线的第一载流端、耦合到所述第二信号线的第二载流端、以及耦合到所述多个字线之一的控制端；第一晶体管，其具有耦合到所述双稳态再生电路的所述第一端的第一载流端和耦合到第五信号线的第二载流端；以及第二晶体管，其具有耦合到所述双稳态再生电路的所述第二端的第一载流端和耦合到第六信号线的第二载流端；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极端耦合到第七信号线。
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