[发明专利]Ag/Ti3SiC2电接触复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 201110293751.3 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102312150A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 杨辉;贺庆;陈乐生;申乾宏;乔秀清;樊先平 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C32/00 | 分类号： | C22C32/00;C22C5/06;C22C1/05;B22F1/02;H01H1/0233 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及新型电接触复合材料的制备，旨在提供一种Ag/Ti3SiC2电接触复合材料的制备方法。包括：采用银氨溶液化学镀银的方法制备包银Ti3SiC2粉体，然后将该粉体用蒸馏水清洗至中性，再经醇洗后在真空中烘干；将烘干后的粉体与银粉球磨混合均匀；将混合均匀后的粉体通过等静压压制成坯体，然后依次经过烧结、复压、复烧工艺，最后热挤压成型获得成品。本发明通过表面载银技术改善了增强相与银基体的润湿性；受电弧侵蚀后表面不会出现严重的偏聚，接触电阻保持在低且稳定的范围；同时，材料表面温升也能保持在较低的水平。本发明可大大提高电接触复合材料中增强相的掺量，相比Ag/SnO2材料可节约用银5％～10％。 | ||
| 搜索关键词： | ag ti sub sic 接触 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Ag/Ti3SiC2电接触复合材料的制备方法，具体包括如下步骤：(1)采用银氨溶液化学镀银的方法制备包银Ti3SiC2粉体，然后将该粉体用蒸馏水清洗至中性，再经醇洗后在真空中烘干；(2)将上述烘干后的包银Ti3SiC2粉体与银粉球磨混合均匀，包银Ti3SiC2粉体占混合粉体总质量的8％～20％；(3)将混合均匀后的粉体通过等静压压制成坯体，然后依次经过烧结、复压、复烧工艺，最后热挤压成型获得Ag/Ti3SiC2电接触复合材料。
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