[发明专利]发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201110293094.2 | 申请日： | 2011-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN103035786A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/22;H01L33/46;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第一半导体层表面设置图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第一半导体层，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；设置一第一电极至少覆盖所述多个三维纳米结构远离活性层的部分表面；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供一发光二极管芯片预制体，所述发光二极管芯片预制体包括依次层叠设置的第一半导体层、活性层及第二半导体层；在所述第一半导体层表面设置图案化的掩模层，所述图案化的掩模层包括多个并排延伸的条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成一沟槽，所述第一半导体层通过该沟槽暴露出来；刻蚀所述第一半导体层，在此过程中相邻的多个条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；去除所述掩模层，在所述第一半导体层远离活性层的表面形成多个M形三维纳米结构；设置一第一电极至少覆盖所述多个三维纳米结构远离活性层的部分表面；以及设置一第二电极与所述第二半导体层电连接。
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